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Annales de Chimie - Science des Matériaux

0151-9107
 

 ARTICLE VOL 33/4 - 2008  - pp.351-356  - doi:10.3166/acsm.33.351-356
TITRE
Magnétorésistance négative dans CdSe isolant et moments magnétiques localisés

TITLE
Negative magnetoresistance in insulating CdSe and localized magnetic moments

RÉSUMÉ

 Nous présentons des résultats expérimentaux de la magnétorésistance négative dans un échantillon isolant de CdSe montrant un régime de conduction par saut à distance variable dans un intervalle de basses températures compris entre 1.5-7 K et à des champs magnétiques allant jusqu’à 2.1 T. Pour expliquer ce comportement de la magnétorésistance, nous avons utilisé un modèle théorique basé sur les moments magnétiques localisés, et les résultats obtenus sont en parfaite accord avec les prévisions de cette théorie qui montrent que le moment magnétique effectif µ* varie avec µB selon la relation µ*= nµB avec n compris entre 5 et 10. On trouve n~11.



ABSTRACT

We present results of an experimental study of magnetoresistance (MR) in insulating CdSe sample showing Variable Range Hopping (VRH) conductivity. The MR is found to be negative in a wide range of low temperature (1.5-7 K) and in the range of moderate magnetic fields (0 – 2.1T). As theories based on quantum interference effects are only valid for very low magnetic fields (B < 0.1 T), we made tentative analysis with a model of localized magnetic moments. The negative MR is quite well approximated by a Langevin function with an effective magnetic moment µ*=nµB where µB is the Bohr magneton and n~11.



AUTEUR(S)
Rachid ABDIA, Ablehamid EL KAAOUACHI, Abdelhakim NAFIDI, Gérard BISKUPSKI, Jamal HEMINE

Reçu le 4 octobre 2007.    Accepté le 21 avril 2008.

LANGUE DE L'ARTICLE
Anglais

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