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Annales de Chimie - Science des Matériaux

0151-9107
 

 ARTICLE VOL 29/2 - 2004  - pp.55-66  - doi:10.3166/acsm.29.2.55-66
TITRE
Effet d’un fort dopage sur le paramètre du gauchissement dans le cas du ternaire Ga1-xAlxN

TITLE
Effect of high doping on the bowing parameter in the case of the Ga1-xAlxN ternary

RÉSUMÉ

Cet article présente la variation de la bande interdite en fonction de la composition x du ternaire Ga1-xAlxN fortement dopé de type n. Nous y proposons la simulation de plusieurs situations, où nous ne tenons compte que de l’'effet d’un fort dopage (valeur de la concentration du dopant entre 1017 cm-3 et 1020 cm-3) à température ordinaire (T = 300 K). Il ressort de cette étude que le paramètre du gauchissement b, qui régit la loi quadratique donnant la variation du gap en fonction de x, présente une grande dispersion : b varie de 0,4 à 1,3 eV.



ABSTRACT

This paper gives the composition dependence of the energy gap for highly doped n-type Ga1-xAlxN ternary compounds. We propose the simulation of several situations, where we take into account only the effect of a high doping (doping concentration between 1017 cm-3 and 1020 cm-3) at room temperature (T= 300 K). From this study, we conclude that the bowing parameter b, which governs the quadratic law giving the gap variation versus x, presents a big dispersion: b varies from 0.4 to 1.3 eV.



AUTEUR(S)
Nabil SAFTA

Reçu le 19 mai 2003.    Accepté le 10 décembre 2003.

LANGUE DE L'ARTICLE
Français

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