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Annales de Chimie - Science des Matériaux

0151-9107
 

 ARTICLE VOL 29/5 - 2004  - pp.37-44  - doi:10.3166/acsm.29.5.37-44
TITRE
Effet des surfaces externes sur le phénomène de transport dans des couches minces de silicium de type P

TITLE
External surface effects in Si-p thin films.

RÉSUMÉ

Dans ce travail, nous avons donné les expressions des temps de collisions caractérisant chaque source de diffusion des trous (phonons et surfaces externes) dans une couche mince de Si-p soumise à un champ électrique. Puis, à l’'aide de la méthode de Monte Carlo, nous avons déterminé l’'évolution de la vitesse des trous en régime transitoire en fonction de l’'épaisseur d de la couche et du coefficient de réflexion spéculaire p. De ces résultats numériques, nous avons déduit l'’évolution de la résistivité électrique en fonction de d. Les résultats obtenus sont en bon accord avec les travaux de Nougier, Tosser et Bulashenko.



ABSTRACT

The Monte Carlo method was used to calculate the hole drift velocity and the ratio of film resistivity to bulk resistivity, as functions of the specular reflexion parameter p and of the film thickness d, in p-Si thin films for the first time. This calculation is based on different collision times: scattering by acoustic or optical phonons and by external surfaces. The results are in good agreement with results obtained by Nougier, Tosser and Bulashenko.



AUTEUR(S)
Bouazza BIAD, Hassan TIJANI, Ahmed HAMID

Reçu le 10 décembre 2003.    Accepté le 11 septembre 2004.

LANGUE DE L'ARTICLE
Français

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